5秒后页面跳转
STTH4R02RL PDF预览

STTH4R02RL

更新时间: 2024-02-25 07:24:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管快恢复二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
13页 144K
描述
Ultrafast recovery diode

STTH4R02RL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMB, 2 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:11 weeks
风险等级:1.65其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:ULTRA FAST RECOVERY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.05 VJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:70 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:4 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:3 µA
最大反向恢复时间:0.03 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

STTH4R02RL 数据手册

 浏览型号STTH4R02RL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STTH4R02RL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STTH4R02RL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STTH4R02RL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STTH4R02RL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STTH4R02RL的Datasheet PDF文件第7页 
Characteristics  
STTH4R02  
Figure 3.  
Forward voltage drop versus  
Figure 4.  
Relative variation of thermal  
forward current (maximum values)  
impedance, junction to case,  
versus pulse duration (T0-220AC,  
DPAK)  
Z
th(j-c)/Rth(j-c)  
IFM(A)  
100  
1.0  
Single pulse  
TO-220AC  
DPAK  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
VFM(V)  
tp(s)  
0
0.1  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
1.E-03  
1.E-02  
1.E-01  
1.E+00  
Figure 5.  
Relative variation of thermal  
impedance, junction to case,  
versus pulse duration  
(TO-220FPAC)  
Figure 6.  
Relative variation of thermal  
impedance, junction to ambient,  
versus pulse duration (SMB)  
Z
th(j-c)/Rth(j-c)  
Z
th(j-a)/Rth(j-a)  
1.0  
0.1  
0.0  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
Single pulse  
TO-220FPAC  
SMB  
SCu=1cm²  
tp(s)  
tp(s)  
1.E-01  
1.E+00  
1.E+01  
1.E+02  
1.E+03  
1.E-03  
1.E-02  
1.E-01  
1.E+00  
1.E+01  
Figure 7.  
Relative variation of thermal  
Figure 8.  
Relative variation of thermal  
impedance, junction to ambient,  
versus pulse duration (DO-201AB)  
impedance, junction to ambient,  
versus pulse duration (SMC)  
Z
th(j-a)(°C/W)  
Z
th(j-a)/Rth(j-a)  
100  
10  
1
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
Single pulse  
DO201AB  
SMC  
SCu=1cm²  
tp(s)  
tp(s)  
1.E+02 1.E+03  
1.E-01  
1.E+00  
1.E+01  
1.E+02  
1.E+03  
1.E-03  
1.E-02  
1.E-01  
1.E+00  
1.E+01  
4/13  

与STTH4R02RL相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
STTH4R02S STMICROELECTRONICS Ultrafast recovery diode

获取价格

STTH4R02U STMICROELECTRONICS Ultrafast recovery diode

获取价格

STTH4R02-Y STMICROELECTRONICS Automotive ultrafast recovery diode

获取价格

STTH4R06DEE STMICROELECTRONICS Turbo 2 ultrafast recovery diode

获取价格

STTH506 STMICROELECTRONICS Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier

获取价格

STTH506B STMICROELECTRONICS Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier

获取价格