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STTH4R06DEE

更新时间： 2024-01-10 14:30:34

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管快恢复二极管超快恢复二极管
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9页	88K
描述
Turbo 2 ultrafast recovery diode

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STTH4R06DEE 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-N5
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.54
其他特性：	SOFT FACTOR IS 2	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	3 µA
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

STTH4R06DEE 数据手册

STTH4R06DEE

Turbo 2 ultrafast recovery diode

Datasheet  production data

Features

■ Very low switching losses

■ High frequency and high pulse current

operation

■ Low thermal resistance

■ High junction temperature

■ ECOPACK 2 compliant component

Description

The STTH4R06 series uses ST’s new 600 V

planar Pt doping technology. The STTH4R06 is

specially suited for switching mode base drive and

transistor circuits.

PowerFLAT(3.3 x 3.3)

STTH4R06DEE-TR

Packaged in PowerFLAT™, this device is

intended for use in low profile applications.

Table 1.

Device summary

Symbol

Value

I_F(AV)

V_RRM

4 A

600 V

150 °C

1.0 V

30 ns

T_j(max)

V_F(typ)

T_RR(typ)

TM: PowerFLAT is a trademark of STMicroelectronics

September 2012

Doc ID 023262 Rev 1

1/8

This is information on a product in full production.

www.st.com

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