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STTH512B-TR

更新时间： 2024-11-16 04:30:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 121K
描述
Ultrafast recovery - 1200 V diode

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STTH512B-TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.44
Samacsys Description：Rectifiers high voltage diode其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY, SNUBBER DIODE
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.9 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：55 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.095 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30

STTH512B-TR 数据手册

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STTH200L06TV  
®
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER  
Table 1: Main Product Characteristics  
A1  
A2  
K1  
K2  
I
Up to 2 x 120 A  
600 V  
F(AV)  
V
RRM  
T
150°C  
j
K1  
V (typ)  
0.95 V  
F
A1  
t (max)  
80 ns  
rr  
K2  
FEATURES AND BENEFITS  
A2  
■
■
■
■
Ultrafast switching  
Low reverse current  
Low thermal resistance  
ISOTOP  
STTH200L06TV1  
Reduces switching & conduction losses  
DESCRIPTION  
The STTH200L06TV, which is using ST Turbo 2  
600V technology, is specially suited for use in  
switching power supplies, and industrial  
applications (such as welding), as rectification  
diode.  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
Marking  
STTH200L06TV1  
STTH200L06TV1  
Table 3: Absolute Ratings (limiting values, per diode)  
Symbol Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
V
600  
180  
V
RRM  
I
RMS forward voltage  
A
A
F(RMS)  
I
Average forward current  
Tc = 65°C  
Tc = 35°C  
Per diode  
Per diode  
100  
120  
800  
F(AV)  
δ = 0.5  
I
Surge non repetitive forward current  
Storage temperature range  
tp = 10ms sinusoidal  
A
FSM  
T
-55 to + 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Maximum operating junction temperature  
j
September 2004  
REV. 1  
1/6  
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