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STTH4R06DEE

更新时间： 2024-02-03 07:57:09
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管快恢复二极管超快恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 88K
描述
Turbo 2 ultrafast recovery diode

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STTH4R06DEE 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-N5
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.54
其他特性：SOFT FACTOR IS 2应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：5
最高工作温度：150 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：3 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

STTH4R06DEE 数据手册

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Characteristics  
STTH4R06DEE  
1
Characteristics  
Table 2.  
Symbol  
Absolute ratings (limiting values T  
Parameter  
= 25 °C unless otherwise specified)  
amb  
Value  
Unit  
V
VRRM  
IF(RMS)  
IF(AV)  
IFSM  
Tstg  
Repetitive peak reverse voltage  
Forward rms current  
600  
15  
A
Average forward current  
Tc = 120 °C, = 0.5  
4
60  
A
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms sinusoidal  
Storage temperature range  
A
-65 to +150  
150  
°C  
°C  
Tj  
Maximum operating junction temperature  
Table 3.  
Symbol  
Thermal resistance  
Parameter  
Value  
Unit  
Rth(j-c) Junction to case  
4.5  
°C/W  
Junction to ambient on printed circuit board (with recommended  
footprint, copper thickness = 35 µm)  
Rth(j-a)  
250  
°C/W  
Table 4.  
Symbol  
Static electrical characteristics  
Parameter  
Test conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
-
-
3
µA  
µA  
Reverse leakage  
current  
(1)  
IR  
VR = VRRM  
IF = 4A  
3
30  
1.30  
1.0  
1.70  
1.25  
(2)  
VF  
Forward voltage drop  
V
-
1. Pulse test: tp = 5 ms, < 2%  
2. Pulse test: tp = 380 µs, < 2%  
To evaluate the conduction losses use the following equation:  
2
P = 1 x IF(AV) + 0.062 x IF (RMS)  
Table 5.  
Symbol  
Dynamic electrical characteristics  
Parameter  
Test conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Reverse recovery  
current  
IRM  
5.5  
2
7.5  
A
IF = 4 A, VR = 400 V,  
dlF/dt = -200 A/µs  
Tj = 125 °C  
Sfactor Softness factor  
IF = 1A, VR = 30 V,  
dlF/dt = -50 A/µs  
35  
50  
trr  
Reverse recovery time Tj = 25 °C  
ns  
IF = 1A, VR = 30 V,  
dlF/dt = -100 A/µs  
30  
40  
100  
5
tfr  
Forward recovery time Tj = 25 °C  
ns  
V
IF = 4 A, VFR = 2 V  
dlF/dt = 100 A/µs  
Forward recovery  
Tj = 25 °C  
VFP  
3.5  
voltage  
2/8  
Doc ID 023262 Rev 1  
1234567...9

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