STTA5012TV1

更新时间： 2024-09-07 22:42:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管瞄准线高压局域网超快软恢复二极管高压超快速软恢复二极管
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TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE

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STTA5012TV1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	ISOTOP	包装说明：	PLASTIC, ISOTOP-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.65	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	HIGH VOLTAGE ULTRA FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2.1 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	最大非重复峰值正向电流：	210 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	245	最大功率耗散：	62.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向恢复时间：	0.11 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STTA5012TV1 数据手册

STTA2512P

STTA5012TV1/2

TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE

MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

25A

1200V

60ns

1.9V

t_rr(typ)

V_F(max)

STTA5012TV1

STTA5012TV2

FEATURES AND BENEFITS

ULTRA-FAST, SOFT RECOVERY.

VERY LOW OVERALL POWER LOSSES IN

BOTH THE DIODE AND THE COMPANION

TRANSISTOR.

HIGH FREQUENCY AND/OR HIGH PULSED

CURRENT OPERATION.

ISOTOP^TM

HIGH REVERSE VOLTAGECAPABILITY.

LOW INDUCTANCE PACKAGE < 5 nH.

INSULATEDPACKAGE: ISOTOP^TM

Electricalinsulation : 2500V_RMS

Capacitance: < 45pF.

SOD93

STTA2512P

DESCRIPTION

TURBOSWITCH 1200V drastically cuts losses in

all high voltage operationswhich require extremely

fast, soft andnoise-free power diodes. Due to their

optimized switching performances they also highly

decrease power losses in any associated

switching IGBT or MOSFET in all freewheel mode

operations.

They are particularly suitable in Motor Control

circuitries, or in the primary of SMPS as snubber,

clamping or demagnetizing diodes. They are also

suitable for secondary of SMPS as high voltage

rectifier diodes.

ABSOLUTE RATINGS

Symbol

(limiting values, per diode)

Parameter

Value

1200

Unit

V_RRM

I_F(RMS)

I_FRM

I_FSM

T_stg

Repetitive peak reverse voltage

RMS forward current

Repetitive peak forward current

Surge non repetitive forward current

Storage temperature range

tp = 5 µs F = 5kHz square

300

tp = 10ms sinusoidal

210

- 65 to + 150

150

°C

T_j

Maximum operatingjunction temperature

ISOTOP and TURBOSWITCH are trademarks of STMicroelectronics.

November 1999 - Ed: 4B

1/9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STTA506B	STMICROELECTRONICS	获取价格	TURBOSWITCH E ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
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