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STPS5L25B

更新时间: 2024-09-16 04:27:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管功效局域网
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

STPS5L25B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DPAK
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.39
其他特性:AVALANCHE RATED应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.35 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:75 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:25 V
最大反向电流:175000 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

STPS5L25B 数据手册

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STPS5L25B/B-1  
®
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
2
IF(AV)  
VRRM  
5 A  
4 (TAB)  
3
25 V  
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.35 V  
4
4
FEATURES AND BENEFITS  
3
2
VERY LOW FORWARD VOLTAGE DROP FOR  
LESS POWER DISSIPATION AND REDUCED  
HEATSINK  
1
3
NC  
2
1
NC  
OPTIMIZED CONDUCTION/REVERSE LOSSES  
TRADE-OFF WHICH MEANS THE HIGHEST  
EFFICIENCY IN THE APPLICATIONS  
HIGH POWER SURFACE MOUNT MINIATURE  
PACKAGE  
IPAK  
STPS5L25B-1  
DPAK  
STPS5L25B  
AVALANCHE RATED  
DESCRIPTION  
Single Schottky rectifier suited to Switched Mode  
Power Supplies and high frequency DC to DC con-  
verters.  
This device is especially intended for use as a Rec-  
tifier at the secondary of 3.3V SMPS units.  
ABSOLUTE RATINGS  
(limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
25  
7
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
Average forward current  
Tc = 145°C δ = 0.5  
5
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 100 µs square  
75  
1
A
A
2
A
°C  
- 65 to + 150  
150  
°
C
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
µ
V/ s  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(ja)  
August 1999 - Ed: 3A  
1/5  

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