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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS40120CTN
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STPS40120CTN

更新时间： 2024-11-15 13:14:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 106K
描述
120 V power Schottky Rectifier

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STPS40120CTN 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.56Is Samacsys：N
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：120 V最大反向电流：25 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS40120CTN 数据手册

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STPS40120C  
Power Schottky rectifier  
Main product characteristics  
A1  
IF(AV)  
VRRM  
Tj(max)  
VF(typ)  
2 x 20 A  
120 V  
K
A2  
175° C  
0.57 V  
K
K
Feature and benefits  
A2  
A2  
K
K
■ High junction temperature capability  
■ Avalanche rated  
A1  
A1  
2
TO-220AB  
I PAK  
STPS40120CR  
■ Low leakage current  
STPS40120CT  
■ Good trade-off between leakage current and  
forward voltage drop  
Description  
Dual center tap Schottky rectifier suited for high  
frequency Switch Mode Power Supply.  
Order code  
2
Packaged in TO-220AB and I PAK, this device is  
Part Number  
Marking  
intended to be used in notebook and LCD  
adaptors, desktop SMPS, providing in these  
applications a margin between the remaining  
voltages applied on the diode and the voltage  
capability of the diode.  
STPS40120CT  
STPS40120CR  
STPS40120CT  
STPS40120CR  
Table 1.  
Symbol  
Absolute ratings (limiting values, per diode)  
Parameter  
Value  
Unit  
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS forward voltage  
120  
30  
V
A
IF(RMS)  
δ = 0.5  
Tc = 145° C  
Per diode  
Per device  
20  
40  
IF(AV)  
Average forward current  
A
IFSM  
PARM  
Tstg  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
200  
10500  
A
tp = 1 μs Tj = 25° C  
W
-65 to + 175  
175  
° C  
° C  
Tj  
Maximum operating junction temperature(1)  
dPtot  
dTj  
1
---------------  
-------------------------  
1.  
<
condition to avoid runaway for a diode on its own heatsink  
Rth(j – a)  
December 2006  
Rev 2  
1/8  
www.st.com  
8
12345678

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