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STPS10120CT

更新时间： 2024-02-02 10:35:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 124K
描述
Power Schottky rectifier

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STPS10120CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：2.27
Is Samacsys：N应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：120 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS10120CT 数据手册

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STPS10120C  
Power Schottky rectifier  
Table 1.  
Main product characteristics  
IF(AV)  
2 x 5 A  
VRRM  
Tj(max)  
VF(typ)  
120 V  
A1  
175° C  
0.64 V  
K
A2  
Feature and benefits  
K
■ High junction temperature capability  
■ Good trade-off between leakage current and  
A2  
K
A2  
K
forward voltage drop  
A1  
A1  
■ Low leakage current  
TO-220AB  
STPS10120CT  
TO-220FPAB  
STPS10120CFP  
■ Avalanche capability specified  
■ Insulated package  
– TO-220FPAB  
Insulating voltage = 2000 V  
Typical package capacitance 12 pF  
Table 2.  
Order code  
Part number  
Marking  
Description  
STPS10120CT  
STPS10120CFP  
STPS10120CT  
STPS10120CFP  
Dual center tap Schottky rectifier suited for high  
frequency switch mode power supplies.  
Table 3.  
Symbol  
Absolute ratings (limiting values, per diode)  
Parameter  
Value  
Unit  
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS forward current  
120  
V
A
IF(RMS)  
30  
Tc = 160° C  
Tc = 150° C  
Tc = 150° C  
Tc = 135° C  
5
10  
Per diode  
TO-220AB  
Per device  
Average forward current,  
δ = 0.5  
IF(AV)  
A
5
Per diode  
Per device  
TO-220FPAB  
10  
IFSM  
PARM  
Tstg  
Tj  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp = 1 µs Tj = 25° C  
120  
A
W
3000  
-65 to + 175  
175  
° C  
° C  
V/µs  
Maximum operating junction temperature(1)  
dV/dt  
Critical rate of rise of reverse voltage  
10000  
dPtot  
dTj  
1
---------------  
-------------------------  
1.  
<
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink  
Rth(j – a)  
July 2007  
Rev 1  
1/8  
www.st.com  
8
12345678

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