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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS10150CFP
STPS10150CFP PDF预览

STPS10150CFP

更新时间： 2024-11-26 08:59:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
9页 170K
描述
High voltage power Schottky rectifier

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STPS10150CFP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.19Is Samacsys：N
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：HIGH VOLTAGE POWER
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS10150CFP 数据手册

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STPS10150C  
High voltage power Schottky rectifier  
Main product characteristics  
A1  
IF(AV)  
VRRM  
Tj  
2 x 5 A  
150 V  
K
A2  
A2  
K
A1  
175° C  
0.75 V  
TO-220FPAB  
VF(max)  
STPS10150CFP  
Features and benefits  
K
■ HIgh junction temperature capability  
A2  
■ Good trade off between leakage current and  
A2  
A1  
K
A1  
forward voltage drop  
D2PAK  
STPS10150CG  
TO-220AB  
STPS10150CT  
■ Low leakage current  
■ Avalanche capability specified  
■ Insulated package  
Order Codes  
– TO-220FPAB  
Insulating voltage = 2000 V  
Typical package capacitance 12 pF  
Part Number  
Marking  
STPS10150CT  
STPS10150CG  
STPS10150CT  
STPS10150CG  
STPS10150CG  
STPS10150CFP  
Description  
STPS10150CG-TR  
STPS10150CFP  
Dual center tap schottky rectifier designed for  
high frequency Switched Mode Power Supplies.  
Table 1.  
Symbol  
VRRM  
Absolute ratings (limiting values)  
Parameter  
Value  
Unit  
V
A
Repetitive peak reverse voltage  
150  
10  
IF(RMS) RMS forward voltage  
TO-220AB  
D2PAK  
TC = 155° C  
TC = 145° C  
Per diode  
Per device  
5
Average forward current  
δ = 0.5  
IF(AV)  
A
TO-220FPAB  
10  
120  
A
W
IFSM  
PARM  
Tstg  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak avalanche power  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 1 µs Tj = 25° C  
3100  
Storage temperature range  
-65 to + 175  
175  
° C  
° C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature(1)  
dV/dt  
Critical rate of rise of reverse voltage  
10000  
dPtot  
dTj  
1
---------------  
-------------------------  
1.  
<
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink  
Rth(j – a)  
June 2006  
Rev 6  
1/9  
www.st.com  
9
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STPS10150CG STMICROELECTRONICS

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