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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STK12N06L
STK12N06L PDF预览

STK12N06L

更新时间： 2024-09-18 22:59:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 182K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

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STK12N06L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：100 pF
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：50 W最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大开启时间（吨）：100 ns
Base Number Matches：1

STK12N06L 数据手册

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STK12N05L  
STK12N06L  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STK12N05L  
STK12N06L  
50 V  
60 V  
< 0.15 Ω  
< 0.15 Ω  
12 A  
12 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.115 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT  
175oC OPERATING TEMPERATURE FOR  
STANDARD PACKAGE  
3
2
1
3
2
1
SOT-82  
SOT-194  
(option)  
■
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STK12N05L  
STK12N06L  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
50  
50  
60  
60  
V
V
± 15  
12  
V
A
ID  
8
A
IDM(•)  
Ptot  
48  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
50  
W
Derating Factor  
0.33  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
November 1996  
1234567...10

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与STK12N06L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STK12N06L{SOT-194} STMICROELECTRONICS

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 		12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
STK13003 STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道40 V、2.4 mOhm典型值、100 A STripFET F6功率MOS
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