是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | DIP, DIP28,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.78 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 45 ns | 其他特性: | EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 35.56 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.14 mm |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STK12C68-5K45M | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5K55 | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5K55I | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5K55M | CYPRESS |
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64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM | |
STK12C68-5KF25 | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5KF25I | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5KF25M | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5KF35 | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5KF35I | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5KF35M | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No |