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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 390 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STI6N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMES |
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| STI6N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，I2 |
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| STI70 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | TO-39 |
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| STI7003D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 700V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| STI7006 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
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| STI7007 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
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| STI701 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-3 |
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| STI702 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 1KV V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| STI704 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 1KV V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| STI705 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
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