5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 最大降落时间（tf）： | 500 ns | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 270 W |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF8045DV | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 100A I(C) |
|
| STF817 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS |
|
| STF817A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| STF8220 | SAMHOP |
获取价格 |
Dual N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STF826 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
3A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
|
| STF8A60 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
|
| STF8A80 | WINSEMI |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
|
| STF8N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、550 mOhm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET，T |
|
| STF8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power |
|
| STF8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO- |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
