STD13003D

更新时间： 2024-11-27 09:01:07

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管功率双极晶体管
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描述
NPN Silicon Power Transistor

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STD13003D 数据手册

STD13003D

NPN Silicon Power Transistor

Applications

• Power amplifier application

PIN Connection

• High current switching application

Features

• High speed switching

• V_CEO(sus)=400V

• Suitable for Switching Regulator and

Motor Control

TO-252

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

STD13003D

STD13003

TO-252

Absolute Maximum Ratings

(Ta=25℃)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

700

400

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

1.5

A(DC)

A(Pulse)

A(DC)

Collector current

I_CP*

I_B

Base current

0.75

1.2

P_C(J-A)

P_C(J-C)

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

150

-55~150

°C

Storage temperature

T_stg

°C

* : Single pulse, tp= 300 ㎲

Characteristic

Symbol

R_th(J-A)

Typ.

Max

104.1

8.3

Unit

℃/W

Junction-Ambient

Thermal resistance

Junction-Case

R_th(J-C)

KSD-T6O006-002

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