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STD13005IS-A

更新时间: 2024-11-24 13:14:07
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可天士 - KODENSHI 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 269K
描述
Power Bipolar Transistor,

STD13005IS-A 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.67
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):40 W表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

STD13005IS-A 数据手册

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STD13005  
NPN Silicon Power Transistor  
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS  
PIN Connection  
Features  
High speed switching  
C
E
VCEO(sus)=400V  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
B
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
B C E  
STD13005  
STD13005  
TO-220AB  
Absolute maximum ratings  
Characteristic  
(Tc=25)  
Unit  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Collector-Base voltage  
Collector-Emitter voltage  
Emitter-base voltage  
700  
V
400  
V
V
9
Collector current (DC)  
4
A
Collector current (Pulse)  
Base current (DC)  
ICM  
8
A
IB  
2
4
A
Base current (Pulse)  
IBM  
A
Total Power dissipation (Tc=25)  
Junction temperature  
Storage temperature  
PD  
60  
W
°C  
°C  
Tj  
150  
Tstg  
-55~150  
Characteristic  
Symbol  
Rth(J-C)  
Rth(J-a)  
Typ.  
Max  
2.08  
83.3  
Unit  
Junction-case  
-
-
Thermal  
resistance  
/W  
Junction-ambient  
KSD-T0P016-001  
1

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