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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.34 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB15NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO |
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| STB15NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh? II |
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| STB15NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - |
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| STB15-O-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-1 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-2 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-3 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-4 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-5 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-6 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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