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ST93C46CB1

更新时间: 2024-11-16 20:23:03
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 417K
描述
128X8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8

ST93C46CB1 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.82Is Samacsys:N
其他特性:MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS备用内存宽度:8
最大时钟频率 (fCLK):1 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0长度:9.55 mm
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:128 words
字数代码:128工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.9 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.00005 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:SOFTWAREBase Number Matches:1

ST93C46CB1 数据手册

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