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ST93C46TB3

更新时间： 2024-09-28 20:23:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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13页	417K
描述
128X8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.40 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8

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ST93C46TB3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.40 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
其他特性：	CAN BE ORGANIZED AS 64 X 16	备用内存宽度：	8
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.55 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.8 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ST93C46TB3013TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1K 64 x 16 or 128 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C46TB3TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1K 64 x 16 or 128 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C46TB6	STMICROELECTRONICS	获取价格	128X8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.40 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8
ST93C46TB6013TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1K 64 x 16 or 128 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C46TB6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1K 64 x 16 or 128 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C46TM1	ETC	获取价格	Microwire Serial EEPROM
ST93C46TM1013TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1K 64 x 16 or 128 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C46TM1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1K 64 x 16 or 128 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM
ST93C46TM3	STMICROELECTRONICS	获取价格	128X8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
ST93C46TM3013TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1K 64 x 16 or 128 x 8 SERIAL MICROWIRE EEPROM