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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSTJ211TT2-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
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| SSTJ212 | CALOGIC |
获取价格 |
N-Channel JFET |
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| SSTJ212-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SSTJ212-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SSTJ212-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SSTJ212T-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, |
|
| SSTJ212TT1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
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| SSTJ212TT1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A |
|
| SSTJ212TT2 | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, |
|
| SSTJ212TT2-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, LEAD FREE, TO-236, 3 PIN, FET Gene |
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