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SSTJ212TT1

更新时间: 2024-11-07 15:52:59
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 213K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

SSTJ212TT1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLEFET 技术:JUNCTION
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SSTJ212TT1 数据手册

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