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SSP10N60AJ69Z

更新时间： 2024-02-28 02:30:43

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	255K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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SSP10N60AJ69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	442 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSP10N60AJ69Z 数据手册

SSP10N60A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 600 V

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

R_DS(on)= 0.8

I_D= 9 A

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220

Lower Leakage Current : 25

(Max.) @ V_DS= 600V

Low R_DS(ON): 0.646 (Typ.)

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25^o

Continuous Drain Current (T_C=100^o

600

)

I_D

)

5.7

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Drain Current-Pulsed

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

442

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25^o

V/ns

15.6

3.0

)

156

1.25

P_D

T_J, T_STG

T_L

W/^oC

Linear Derating Factor

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

^oC

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

0.8

Units

0.5

qJC

^oC

R _qJA

Junction-to-Ambient

62.5

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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与SSP10N60AJ69Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSP10N60B	FAIRCHILD	获取价格	600V N-Channel MOSFET
SSP10N60BJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSP-1156B152UP12	LUMEX	获取价格	1156 LED REPLACEMENT LAMP, GREEN.
SSP-1156B153S12	LUMEX	获取价格	1156 LED REPLACEMENT LAMP, YELLOW.
SSP-1156B157U12	LUMEX	获取价格	1156 LED REPLACEMENT LAMP, BLUE.
SSP-1156B15912	LUMEX	获取价格	1156 LED REPLACEMENT LAMP, WHITE.
SSP-122BHT	MITSUMI	获取价格	H=1mm Paper Slide Switches
SSP-122RVT	MITSUMI	获取价格	H=1mm Paper Slide Switches
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SSP15N05	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-220AB