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SSM6K804R

更新时间： 2024-01-22 18:18:47

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SSM6K804R 数据手册

SSM6K804R

5.5. Source-Drain Characteristics (Unless otherwise specified, Ta = 25 ꢀ)

Characteristics

Diode forward voltage

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

(Note 1)

VDSF

ID = -12 A, VGS = 0 V

ꢁ

-0.85

ꢁ

Note 1: Pulse measurement.

6. Marking

Fig. 6.1 Marking

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

2021-10-28

Rev.1.0

1 2 345 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6K809R	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 60 V, 6.0 A, 0.036 Ω@10V, TSOP6F
SSM6K810R	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
SSM6K819R	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258 Ω@10V, TSOP6
SSM6L05FU	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type
SSM6L05FU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	SSM6L05FU(TE85L)
SSM6L05FU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	SSM6L05FU(TE85L,F)
SSM6L05FU_07	TOSHIBA	获取价格	Power Management Switch
SSM6L09FU	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type
SSM6L09FU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,400MA I(D),SOT-363
SSM6L09FU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,400MA I(D),SOT-363