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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SS9013D
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SS9013D

更新时间： 2024-11-15 03:31:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation.

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SS9013D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.76最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：64JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SS9013D 数据手册

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SS9013  
1W Output Amplifier of Potable Radios in  
Class B Push-pull Operation.  
•
•
•
•
High total power dissipation. (P =625mW)  
T
High Collector Current. (I =500mA)  
C
Complementary to SS9012  
Excellent h linearity.  
FE  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
20  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
40  
20  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
=100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
=1mA, I =0  
B
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=25V, I =0  
100  
100  
202  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
=3V, I =0  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
=1V, I =50mA  
64  
40  
120  
120  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=1V, I =500mA  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
=500mA, I =50mA  
0.16  
0.91  
0.67  
0.6  
1.2  
0.7  
V
V
V
CE  
BE  
BE  
C
C
B
=500mA, I =50mA  
B
V
=1V, I =10mA  
0.6  
CE  
C
h
Classification  
FE  
Classification  
D
E
F
G
H
h
64 ~ 91  
78 ~ 112  
96 ~ 135  
112 ~ 166  
144 ~ 202  
FE1  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, May 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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