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SS9011FJ05Z

更新时间： 2024-11-15 14:44:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN

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SS9011FJ05Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.76
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：54JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：370 MHzBase Number Matches：1

SS9011FJ05Z 数据手册

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SS9011  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
AM CONVERTER, AM/FM IF AMPLIFIER  
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR  
TO-92  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
V
mA  
mw  
°C  
°C  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VCBO  
50  
30  
5
30  
400  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
150  
-55 ~ 150  
TSTG  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
50  
30  
5
Typ  
Max  
Unit  
IC = 100mA, IE =0  
IC =1mA, IB =0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
Output Capacitance  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCE (sat)  
VBE  
COB  
V
V
V
nA  
nA  
IE = 100mA, IC =0  
VCB = 50V, IE =0  
VEB = 5V, IC =0  
VCE = 5V, IC = 1mA  
IC = 10mA, IB = 1mA  
VCE = 5V, IC = 1mA  
VCB = 10V, IE = 0  
f = 1MHz  
100  
100  
198  
0.3  
90  
0.08  
0.7  
28  
V
V
pF  
0.75  
0.65  
1.5  
VCE = 5V, IC = 1mA  
VCE = 5V, IC = 1.0 mA  
f=1MHz, RS = 500W  
MHz  
dB  
fT  
NF  
370  
2.0  
Current Gain-Bandwidth Product  
Noise Figure  
150  
4.0  
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
D
E
F
G
H
I
hFE  
28-45  
39-60  
54-80  
72-108 97-146 132-198  
Rev. B  
ã 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS9011FJ18Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
SS9011G FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
SS9011GBU ROCHESTER

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 		30mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
SS9011GBU FAIRCHILD

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