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SS9011HBU PDF预览

SS9011HBU

更新时间： 2024-11-15 20:44:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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SS9011HBU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.5
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：97
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

SS9011HBU 数据手册

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SS9011  
AM Converter, AM/FM IF Amplifier  
General Purpose Transistor  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
30  
CBO  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
30  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
400  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
50  
30  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= 100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
=1mA, I =0  
B
I = 100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= 50V, I =0  
100  
100  
198  
0.3  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= 5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= 5V, I = 1mA  
28  
90  
0.08  
0.7  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter on Voltage  
I
= 10mA, I = 1mA  
V
V
CE  
C
B
V
V
= 5V, I = 1mA  
0.65  
150  
0.75  
BE  
CE  
C
C
Output Capacitance  
= 10V, I = 0  
1.5  
370  
pF  
ob  
CB  
E
f = 1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Noise Figure  
V
V
= 5V, I = 1mA  
2.0  
MHz  
dB  
T
CE  
C
NF  
= 5V, I = 1.0 mA  
4.0  
CE  
C
f=1MHz, R = 500Ω  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
D
E
F
G
H
97 ~ 146  
I
h
28 ~ 45  
39 ~ 60  
54 ~ 80  
72 ~ 108  
132 ~ 198  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A4, November 2002  
1234

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 		PNP (1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION)
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