SS2PH9-E3/85A

更新时间： 2024-09-16 06:13:55

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威世 - VISHAY		整流二极管高压
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High-Voltage Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance

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SS2PH9-E3/85A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.66 V
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	2 A
最大重复峰值反向电压：	90 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SS2PH9-E3/85A 数据手册

New Product

SS2PH9 & SS2PH10

Vishay General Semiconductor

High-Voltage Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.0 mm

eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

DO-220AA (SMP)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency inverters, freewheeling,

dc-to-dc

applications.

converters

and

polarity

protection

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2.0 A

V_RRM

I_FSM

90 V, 100 V

50 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-220AA (SMP)

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

E_AS

11.25 mJ

0.62 V

V_Fat I_F= 1.0 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

_Rmax.

1.0 µA

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

T_Jmax.

175 °C

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SS2PH9

SS2PH10

UNIT

Device marking code

210

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_F(AV)

100

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

2.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Non-repetitive avalanche energy at T_J= 25 °C, I_AS= 1.5 A, L = 10 mH

Voltage rate of change (rated V_R)

E_AS

dV/dt

11.25

V/µs

°C

10 000

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 175

Document Number: 84682

Revision: 19-May-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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