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SQJQ402E-T1_GE3

更新时间： 2024-11-05 21:10:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 169K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SQJQ402E-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：361 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：200 A
最大漏源导通电阻：0.0017 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SQJQ402E-T1_GE3 数据手册

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SQJQ402E  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
40  
• AEC-Q101 qualified  
R
DS(on) (Ω) at VGS = 10 V  
DS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V  
0.0017  
0.0020  
200  
• 100 % Rg and UIS tested  
• Thin 1.9 mm height  
R
ID (A)  
Configuration  
Single  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
®
PowerPAK 8x8L Single  
1.9 mm  
8.1 mm  
D
D
D
G
1
1
2
4
4
2
3
3
S
S
G
S
S
S
S
G
S
Top View  
Bottom View  
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK 8x8L  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SQJQ402E-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
40  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C a  
C = 125 °C  
200  
Continuous Drain Current  
ID  
T
127  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Pulsed Drain Current b  
IS  
200  
A
IDM  
IAS  
300  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
85  
L = 0.1 mH  
EAS  
361  
mJ  
W
TC = 25 °C  
150  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TC = 125 °C  
50  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d, e  
TJ, Tstg  
-55 to +175  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
50  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mount c  
°C/W  
Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
1
Notes  
a. Package limited.  
b. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.  
c. When mounted on 1" square Pcb (Fr4 material).  
d. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK 8x8L is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
S14-2246-Rev. A, 10-Nov-14  
Document Number: 62748  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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