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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQJ848AEP | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQJ848EP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 40V 21.7A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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| SQJ850EP | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQJ850EP-T1_GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SQJ850EP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC |
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| SQJ858AEP | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQJ860EP | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQJ868EP | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQJ872EP | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQJ886EP | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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