是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 20 weeks 1 day |
风险等级: | 7.9 | 雪崩能效等级(Eas): | 11 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 24 A |
最大漏源导通电阻: | 0.023 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SQJ850EP-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC | |
SQJ858AEP | VISHAY |
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Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQJ860EP | VISHAY |
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Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQJ868EP | VISHAY |
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Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQJ872EP | VISHAY |
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Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQJ886EP | VISHAY |
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Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQJ910AEP | VISHAY |
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Automotive Dual N-Channel 12 V (D-S) 175 °C | |
SQJ912AEP | VISHAY |
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Automotive Dual N-Channel 12 V (D-S) 175 °C | |
SQJ912BEP | VISHAY |
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Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C M | |
SQJ912DEP | VISHAY |
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Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C M |