SPP24N60CFD

更新时间： 2024-11-23 09:08:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
12页	334K
描述
CoolMOSTM Power Transistor Features Extreme dv/dt rated High peak current capability

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SPP24N60CFD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	780 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21.7 A	最大漏极电流 (ID)：	21.7 A
最大漏源导通电阻：	0.185 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	240 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	55 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPP24N60CFD 数据手册

SPP24N60CFD

CoolMOS^TMPower Transistor

Product Summary

_DS@ Tjmax

R _DS(on),max

I _D

Features

650

0.185

21.7

Ω

• Intrinsic fast-recovery body diode

• Extremely low reverse recovery charge

• Ultra low gate charge

PG-TO220

• Extreme dv /dt rated

• High peak current capability

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• CoolMOS CFD designed for

• Softswitching PWM Stages

• LCD & CRT TV

Type

Package

Marking

SPP24N60CFD

PTOG-2T2O0220

24N60CFD

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

21.7

13.7

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

E _AR

I _AR

I _D=10A, V _DD=50 V

I _D=20A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

780

Avalanche energy, repetitive^2),3)

Avalanche current, repetitive^2),3)

I _D=21.7A, V _DS=480V,

T _j=125°C

Drain source voltage slope

dv /dt

V/ns

600

Reverse diode dv /dt

dv /dt

V/ns

A/µs

I _S=21.7A, V _DS=480 V,

T _j=125°C

Maximum diode commutation speed di /dt

V _GS

±20

Gate source voltage

static

±30

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

240

Power dissipation

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

Mounting torque

°C

M3 & M3.5 screws

page 1

Ncm

Rev. 1.2

2007-08-28

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

SPP24N60CFD 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP65R150CFDA	INFINEON	类似代替	650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先
IPP65R150CFDAAKSA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP65R150CFDXKSA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与SPP24N60CFD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPP24N60CFD_09	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
SPP24N60CFDHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21.7A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
SPP2UL33R0JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP2UL4700JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP2UL4700KLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP2UL6R80JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP3	TTELEC	获取价格	Fibre core conformal coated wirewound resistor
SPP-3	TTELEC	获取价格	General Purpose Wirewound Resistors
SPP3052	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPP3052_11	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET

与SPP24N60CFD相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SPP24N60CFD

SPP24N60CFD 技术参数

SPP24N60CFD 数据手册

SPP24N60CFD 替代型号

与SPP24N60CFD相关器件

与SPP24N60CFD相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SPP24N60CFD

SPP24N60CFD 技术参数

SPP24N60CFD 数据手册

SPP24N60CFD 替代型号

与SPP24N60CFD相关器件

与SPP24N60CFD相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？