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SPP24N60CFDHKSA1

更新时间： 2024-11-06 21:19:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	542K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21.7A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP24N60CFDHKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	780 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	21.7 A	最大漏源导通电阻：	0.185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	55 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPP24N60CFDHKSA1 数据手册

SPP24N60CFD

CoolMOS^TMPower Transistor

Product Summary

V _DS@ Tjmax

R _DS(on),max

Features

650

0.185

21.7

• Intrinsic fast-recovery body diode

• Extremely low reverse recovery charge

I _D

• Ultra low gate charge

• Extreme dv /dt rated

PG-TO220

• High peak current capability

• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC¹⁾

• CoolMOS CFD designed for

• Softswitching PWM Stages

• LCD & CRT TV

Type

Package

Marking

SPP24N60CFD

PTOG-2T2O0220

24N60CFD

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

21.7

13.7

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

E _AR

I _AR

T _C=25 °C

I _D=10A, V _DD=50 V

I _D=20A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

780

Avalanche energy, repetitive^2),3)

Avalanche current, repetitive^2),3)

I _D=21.7A, V _DS=480V,

T _j=125°C

Drain source voltage slope

dv /dt

V/ns

600

Reverse diode dv /dt

V/ns

A/µs

I _S=21.7A, V _DS=480 V,

T _j=125°C

Maximum diode commutation speed di /dt

V _GS

±20

Gate source voltage

static

±30

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

240

Power dissipation

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

Mounting torque

°C

M3 & M3.5 screws

page 1

Ncm

Rev. 1.3

2009-12-01

12 3 4 5 6 7...12

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SPP24N60CFDHKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP65R150CFD	INFINEON	功能相似	650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7
IPP65R150CFDAAKSA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP65R150CFDXKSA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与SPP24N60CFDHKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPP2UL33R0JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP2UL4700JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP2UL4700KLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP2UL6R80JLF	TTELEC	获取价格	Fibre Core Conformal Coated Wirewound Resistor
SPP3	TTELEC	获取价格	Fibre core conformal coated wirewound resistor
SPP-3	TTELEC	获取价格	General Purpose Wirewound Resistors
SPP3052	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPP3052_11	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPP3052T252RG	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPP3052T252RGB	SYNC-POWER	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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