5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0167 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPP11N80C3 | INFINEON |
功能相似  |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP08N80C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPA04N80C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD50N06S2L13NTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SPD50P03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P Power - Transistor |
|
| SPD50P03L G | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
|
| SPD50P03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P Power-Transistor |
|
| SPD50P03LGBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SPD50S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.0006A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAG |
|
| SPD50SM | SSDI |
获取价格 |
200 mAMP 50 - 125 VOLTS 5 nsec HYPER FAST RECTIFIER |
|
| SPD50SMS | SSDI |
获取价格 |
200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER |
|
| SPD50SM-S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.0006A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAG |
|
| SPD50SMSS | SSDI |
获取价格 |
200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
