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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-6 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 256 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 255 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPD50P03LG | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS-P Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD50P03L G | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPD50P03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P Power-Transistor |
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| SPD50P03LGBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SPD50S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.0006A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAG |
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| SPD50SM | SSDI |
获取价格 |
200 mAMP 50 - 125 VOLTS 5 nsec HYPER FAST RECTIFIER |
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| SPD50SMS | SSDI |
获取价格 |
200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER |
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| SPD50SM-S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.0006A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAG |
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| SPD50SMSS | SSDI |
获取价格 |
200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER |
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| SPD50SMSTX | SSDI |
获取价格 |
200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER |
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| SPD50SMSTXV | SSDI |
获取价格 |
200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER |
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