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SPD50P03LG

更新时间： 2024-11-21 09:09:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	353K
描述
OptiMOS-P Power-Transistor

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SPD50P03LG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	256 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.007 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPD50P03LG 数据手册

SPD50P03L G

OptiMOS^®-P Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

-30

• P-Channel

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Enhancement mode

-50

• Logic level

• 175°C operating temperature

• Avalanche rated

PG-TO252-5

• dv /dt rated

• High current rating

• Pb-free lead-plating, RoHS compliant

Package

Marking

Tape and reel information

Lead Free

Yes

Packing

Non dry

Type

SPD50P03L G

PG-TO252-5

50P03L

1000 pcs / reel

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C¹⁾

I _D

-50

Continuous drain current

T _C=100 °C¹⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

-200

256

Pulsed drain current

I _D=-50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=-50 A, V _DS=24 V,

di /dt =-200 A/µs,

-6

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

±20

150

Gate source voltage

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

Operating and storage temperature

T _j, T _stg

-55…+175

ESD class HBM

Soldering temperature

260

55/175/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Rev. 1.8

page 1

2008-07-10

12 3 4 5 6 7...9

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SPD50P03LG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPD50P03L	INFINEON	功能相似	OptiMOS-P Power - Transistor

与SPD50P03LG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPD50P03LGBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SPD50S	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.0006A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAG
SPD50SM	SSDI	获取价格	200 mAMP 50 - 125 VOLTS 5 nsec HYPER FAST RECTIFIER
SPD50SMS	SSDI	获取价格	200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER
SPD50SM-S	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.0006A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAG
SPD50SMSS	SSDI	获取价格	200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER
SPD50SMSTX	SSDI	获取价格	200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER
SPD50SMSTXV	SSDI	获取价格	200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER
SPD50SMTX	SSDI	获取价格	200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER
SPD50SMTXV	SSDI	获取价格	200 mAMP 50-125 Volts 5nsec HYPER FAST RECTIFIER

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