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SPD50N06S214NTMA1

更新时间： 2024-11-21 20:04:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	269K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3

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SPD50N06S214NTMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	240 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.0144 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPD50N06S214NTMA1 数据手册

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SPD50N06S2-14



OptiMOS Power-Transistor

Product Summary

Feature

14.4

• N-Channel

mΩ

DS(on)

• Enhancement mode

• 175°C operating temperature

• Avalanche rated

P- TO252 -3-11

• dv/dt rated

Type

Package

Ordering Code

Marking

SPD50N06S2-14

P- TO252 -3-11 Q67060-S7418

PN0614

Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C,

200

Pulsed drain current

D puls

T =25°C

240

Avalanche energy, single pulse

I =50 A , V =25V, R =25Ω

13.6

Repetitive avalanche energy, limited by T

Reverse diode dv/dt

jmax

dv/dt

kV/µs

I =50A, V =44V, di/dt=200A/µs, T =175°C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

±20

136

tot

T =25°C

°C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

T , T

-55... +175

55/175/56

stg

Page 1

2003-05-09

12 3 4 5 6 7 8

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