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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-257 |
| 包装说明： | R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-257 | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大输出电流： | 15 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.06 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD1560C | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon, TO-257, |
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| SPD1560CA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon, TO-257, |
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| SPD15N06S2L-64 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPD15P10P G | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPD15P10PG | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS? Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode |
|
| SPD15P10PGBT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SPD15P10PL G | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
|
| SPD15P10PLG | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode |
|
| SPD1635 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, |
|
| SPD1645CA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon, TO-257, |
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