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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 128 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD15P10PGBT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SPD15P10PL G | INFINEON |
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Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPD15P10PLG | INFINEON |
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SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode |
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| SPD1635 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, |
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| SPD1645CA | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon, TO-257, |
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| SPD165611 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, Silicon, PLASTIC, SPD-3, POWERPAK-2 |
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| SPD165611A | SENSITRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, Silicon, PLASTIC, SPD-3A, 1 PIN |
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| SPD165611BR | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, Silicon, PLASTIC, SPD-3A, 2 PIN |
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| SPD165611R | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, Silicon, PLASTIC, SPD-3, 2 PIN |
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| SPD165612 | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, Silicon, PLASTIC, SPD-3, 2 PIN |
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