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SP8J3TB

更新时间： 2024-02-09 06:19:23

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	63K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SP8J3TB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SP8J3TB 数据手册

SP8J3

Transistors

Switching (−30V, −3.5A)

SP8J3

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low On-resistance. (100mΩ at 4.5V)

2) High Power Package.

3) High speed switching.

4) Low voltage drive. (4.5V)

SOP8

3.9

6.0

zApplications

Power switching, DC-DC converter

0.4Min.

Each lead has same dimensions

zEquivalent circuit

zStructure

Silicon P-channel

MOS FET

(8)

(7)

(6)

(5)

zPackaging specifications

Package

Taping

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

(1)

(2)

(3)

(4)

SP8J3

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

1/4

12 3 4 5

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