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SP001197126

更新时间： 2024-09-17 19:52:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
14页	849K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SP001197126 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

SP001197126 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

F3L200R12W2H3_B11

EasyPACKꢀModulꢀmitꢀaktiverꢀ"NeutralꢀPointꢀClampꢀ2"ꢀTopologieꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀactiveꢀ"NeutralꢀPointꢀClampꢀ2"ꢀtopologyꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 100A / I_CRM= 200A

TypischeꢀAnwendungen

• 3-Level-Applikationen

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• 3-level-applications

• Motorꢀdrives

• SolarꢀAnwendungen

• USV-Systeme

• Solarꢀapplications

• UPSꢀsystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• HighꢀSpeedꢀIGBTꢀH3

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

ElectricalꢀFeatures

• HighꢀspeedꢀIGBTꢀH3

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

MechanischeꢀEigenschaften

• 3ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• RoHSꢀkonform

MechanicalꢀFeatures

• 3ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• PressFITꢀcontactꢀtechnology

• RoHSꢀcompliant

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀCM

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-04

revision:ꢀV3.1

approvedꢀby:ꢀAKDA

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

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