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SN54LS312J

更新时间: 2024-11-13 15:51:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
IC,SRAM,16X9,LS-TTL,DIP,20PIN,CERAMIC

SN54LS312J 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP20,.3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92JESD-30 代码:R-XDIP-T20
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
端子数量:20字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16X9输出特性:OPEN-COLLECTOR
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SN54LS312J 数据手册

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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