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SN54LS319J

更新时间: 2024-09-25 15:51:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 282K
描述
IC,SRAM,16X4,LS-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC

SN54LS319J 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92Is Samacsys:N
JESD-30 代码:R-XDIP-T16内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16X4
输出特性:OPEN-COLLECTOR封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SN54LS319J 数据手册

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