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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SMMA511DJ | VISHAY | N- and P-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
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| SMMA511DJ-T1-GE3 | VISHAY | N- and P-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
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| SMMA912DJ-T1-GE3 | VISHAY | TRANSISTOR 4500 mA, 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND |
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| SMMA921EDJ-T1-GE3 | VISHAY | TRANSISTOR 4500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND |
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| SMMB406EDK-T1-GE3 | VISHAY | TRANSISTOR 6 A, 20 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
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| SMMB911DK-T1-GE3 | VISHAY | DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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