5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SML120B10
SML120B10 PDF预览

SML120B10

更新时间： 2024-02-07 17:02:39
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

阅读下载

中文翻译

获取价格

SML120B10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1200 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SML120B10 数据手册

 浏览型号SML120B10的Datasheet PDF文件第2页 
SML120B10  
TO–247AD Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
4.69 (0.185)  
5.31 (0.209)  
1.49 (0.059)  
2.49 (0.098)  
15.49 (0.610)  
16.26 (0.640)  
POWER MOSFETS  
3.55 (0.140)  
3.81 (0.150)  
1
2
3
VDSS  
1200V  
10A  
1.65 (0.065)  
2.13 (0.084)  
0.40 (0.016)  
0.79 (0.031)  
ID(cont)  
2.87 (0.113)  
3.12 (0.123)  
1.01 (0.040)  
1.40 (0.055)  
Ω
RDS(on) 1.500  
2.21 (0.087)  
2.59 (0.102)  
5.25 (0.215)  
BSC  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• 100% Avalanche Tested  
• Popular TO–247 Package  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Drain  
Pin 3 – Source  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
G
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
1200  
10  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
40  
DM  
Gate – Source Voltage  
±30  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±40  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
370  
W
case  
P
D
2.96  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
10  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
30  
E
E
AR  
AS  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
1300  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 26mH, R = 25Ω, Peak I = 10A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
6/99  
12

中文翻译

下载PDF

与SML120B10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SML120J15 SEME-LAB

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
SML120J25 SEME-LAB

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
SML120L16 SEME-LAB

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
SML1216C SANKEN

获取价格

 		5phi Round Standard Bicolor LED
SML1216W SANKEN

获取价格

 		Bicolor LEDs
SML1216WTP4 SANKEN

获取价格

 		Dual Color LED, High Intensity Red/green, 5mm
SML12451W SANKEN

获取价格

 		Bicolor LEDs
SML12460C SANKEN

获取价格

 		Bicolor LEDs
SML12460CTP4 SANKEN

获取价格

 		Dual Color LED, High Intensity Red/green, 5mm
SML1310IGF SEME-LAB

获取价格

 		N–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICA

与SML120B10相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证