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SML120J25

更新时间： 2024-01-11 19:16:22

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML120J25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	雪崩能效等级（Eas）：	3600 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SML120J25 数据手册

SML120J25

SOT–227 Package Outline.

Dimensions in mm (inches)

1 1.8 (0 .4 6 3 )

1 2.2 (0 .4 8 0 )

31 .5 (1 .2 4 0)

31 .7 (1 .2 4 8)

N–CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

HIGH VOLTAGE

8 .9 (0 .35 0 )

9 .6 (0 .37 8 )

7 .8 (0 .3 07 )

8 .2 (0 .3 22 )

4 .1 (0 .16 1)

4 .3 (0 .16 9)

Hex Nut M 4

(4 places)

4 .8 (0 .18 7)

4 .9 (0 .19 3)

(4 places)

H =

POWER MOSFETS

4.0 (0 .1 57 )

4.2 (0 .1 65 )

0 .7 5 (0.03 0)

0 .8 5 (0.03 3)

V_DSS

1200V

26A

3.3 (0.129)

3.6 (0.143)

5.1 (0.2 01 )

5.9 (0.2 32 )

4.0 (0.157)

(2 Places)

I_D(cont)

14.9 (0.587)

15.1 (0.594)

1 .9 5 (0 .07 7 )

2.1 4 (0 .0 84 )

3 0 .1 (1 .1 8 5 )

3 0 .3 (1 .1 9 3 )

Ω

R_DS(on)0.400

38.0 (1.496)

38.2 (1.504)

• Faster Switching

• Lower Leakage

• 100% Avalanche Tested

* Source terminals are shorted

internally. Current handling

capability is equal for

either Source terminal.

• Popular SOT–227 Package

StarMOS is a new generation of high voltage

N–Channel enhancement mode power MOSFETs.

This new technology minimises the JFET effect,

increases packing density and reduces the

on-resistance. StarMOS also achieves faster

switching speeds through optimised gate layout.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Drain – Source Voltage

1200

DSS

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

104

Gate – Source Voltage

±30

Gate – Source Voltage Transient

±40

GSM

Total Power Dissipation @ T

Derate Linearly

= 25°C

700

case

5.6

W/°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.

–55 to 150

300

T , T

STG

°C

Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

3600

1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.

2) Starting T = 25°C, L = 10.65mH, R = 25Ω, Peak I = 26A

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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