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SML150FB12

更新时间： 2024-01-20 00:15:02

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HIGH PERFORMANCE POWER SEMICONDUCTORS

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SML150FB12 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MUFM-X9
针数：	9	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	其他特性：	HIGH REALIBILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	200 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-MUFM-X9	元件数量：	2
端子数量：	9	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	810 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	Base Number Matches：	1

SML150FB12 数据手册

SML150FB12

Attributes:

-aerospace build standard

-high reliability

-lightweight

-metal matrix base plate

-AlN isolation

Maximum rated values/Electrical Properties

Collector-emitter Voltage

1200

Vce

DC Collector Current

Tc=70C, Tvj=175C

Tc=25C,Tvj=175C

I_c, nom

150

200

Repetitive peak Collector Cur-

rent

tp=1msec,Tc=80C

I_crm

300

Total PowerDissipation

Tc=25C

P_tot

850

Gate-emitter peak voltage

V_ges

I_f

+/-20

150

DC Forward Diode

Current

Repetitive Peak

Forward Current

tp=1msec

I_frm

300

I²t value per diode

Vr=0V, tp=10msec,

Tvj=125C

I²

4600

2500

A²sec

Isolation test voltage

RMS, 50Hz, t=1min

V_isol

Collector-emitter saturation

voltage

Ic=150A,Vge=15V, Tc=25C

Ic=150A,Vge=15V,Tc=125C

V_ce(sat)

1.70 2.15

2.0

Gate Threshold voltage

Input capacitance

Ic=6.4mA,Vce=Vge, Tvj=25C Vge_(th)5.0 5.8

6.5

f=1MHz,Tvj=25C,Vce=25V,

Vge=0V

C_ies

C_res

I_ces

10.5

Reverse transfer Capacitance f=1MHz,Tvj=25C,Vce=25V,

Vge=0V

0.5

Collector emitter cut off

current

Vce=600V,Vge=0V,Tvj=25C

Vce=600V,Vge=0V,Tvj=125C

Gate emitter cut off current

Vce=0V,Vge=20V,Tvj=25C

I_ges

400

12 3 4 5 6 7

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