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SMJ44C251B12HMM PDF预览

SMJ44C251B12HMM

更新时间： 2024-01-17 02:49:27
品牌 Logo 应用领域
MICROSS 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
58页 4989K
描述
Video DRAM, 256KX4, 120ns, CMOS, CDSO28, CERAMIC, LCC-28

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SMJ44C251B12HMM 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：SON, SOLCC28,.4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.64
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：120 ns其他特性：CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-CDSO-N28长度：18.29 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：VIDEO DRAM
内存宽度：4混合内存类型：N/A
功能数量：1端口数量：2
端子数量：28字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：256KX4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：SON封装等效代码：SOLCC28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：2.54 mm
最大待机电流：0.015 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

SMJ44C251B12HMM 数据手册

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VRAM  
SMJ44C251B  
MT42C4256  
256K X 4 VRAM  
256K x 4 DRAM  
PIN ASSIGNMENT  
(Top View)  
with 512K x 4 SAM  
AVAILABLE AS MILITARY  
SPECIFICATIONS  
• SMD 5962-89497  
• MIL-STD-883  
28-Pin DIP (C)  
(400 MIL)  
28-Pin SOJ (DCJ)  
28-Pin LCC (EC)  
SC  
SDQ1  
SDQ2  
TR\/OE\  
DQ1  
1
2
3
4
5
6
Vss  
SDQ4  
SDQ3  
Vss  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
7
8
SC  
SDQ1  
SDQ2  
TR\/OE\  
DQ1  
DQ2  
ME\/WE\  
NC  
RAS\  
A8  
A6  
A5  
A4  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
SDQ4  
SDQ3  
SE\  
DQ4  
DQ3  
DSF  
25 SE\  
24 DQ4  
23 DQ3  
DQ2  
7
8
ME\/WE\  
NC  
22  
DSF  
FEATURES  
21 CAS\  
21 CAS\  
20 QSF  
19 A0  
9
20  
19  
18  
17  
16  
15  
RAS\  
A8  
A6  
A5  
A4  
QSF  
A0  
A1  
A2  
A3  
A7  
9
• Class B High-Reliability Processing  
10  
11  
12  
13  
10  
11  
12  
13  
14  
• DRAM: 262144 Words × 4 Bits  
SAM: 512 Words × 4 Bits  
18  
17  
16  
15  
A1  
A2  
A3  
A7  
• Single 5-V Power Supply (±10% Tolerance)  
• Dual Port Accessibility–Simultaneous and Asynchronous Access  
From the DRAM and SAM Ports  
• Bidirectional-Data-Transfer Function Between the DRAM and the  
Serial-Data Register  
• 4 × 4 Block-Write Feature for Fast Area Fill Operations; As Many  
as Four Memory Address Locations Written per Cycle From an  
On-Chip Color Register  
• Write-Per-Bit Feature for Selective Write to Each RAM I/O; Two  
Write-Per-Bit Modes to Simplify System Design  
• Enhanced Page-Mode Operation for Faster Access  
• CAS-Before-RAS (CBR) and Hidden Refresh Modes  
• All Inputs/Outputs and Clocks Are TTL Compatible  
• Long Refresh Period: Every 8 ms (Max)  
• Up to 33-MHz Uninterrupted Serial-Data Streams  
• 3-State Serial I/Os Allow Easy Multiplexing of Video-Data  
Streams  
Vcc 14  
Vcc  
28-Pin ZIP (CZ)  
1
3
5
7
DSF  
DQ3  
SDQ2  
Vss  
SDQ0  
TRG\  
DQ1  
GND  
A8  
A5  
Vcc  
A3  
A1  
DQ2  
SE\  
SDQ3  
SC  
SDQ1  
DQ0  
W\  
RAS\  
A8  
2
4
6
8
9
10  
12  
14  
16  
18  
20  
22  
11  
13  
15  
17  
19  
21  
23  
25  
27  
A4  
A7  
24 A2  
26 A0  
28 CAS\  
QSF  
28-Pin FP (F)  
SC  
SDQ1  
SDQ2  
TR\/OE\  
DQ1  
DQ2  
ME\/WE\  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
8
Vss  
28  
• 512 Selectable Serial-Register Starting  
• Split Serial-Data Register for Simplified Real-Time Register Reload  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
SDQ4  
SDQ3  
SE\  
DQ4  
DQ3  
DSF  
CAS\  
QSF  
A0  
A1  
A2  
A3  
A7  
OPTIONS  
• Timing  
MARKING  
9
100ns, 30ns/27ns  
120ns, 35ns/35ns  
-10  
-12  
RAS\  
A8  
A6  
A5  
A4  
10  
11  
12  
13  
14  
• Package(s)  
MT Prefix  
SMJ Prefix  
Vcc  
Ceramic SOJ  
Ceramic DIP (400 mil)  
Ceramic LCC  
Ceramic ZIP  
Ceramic LCC  
DCJ  
C
EC  
CZ  
---  
F
---  
PIN NAME  
(SMJ)  
A0 - A8  
CAS\  
DQ0 - DQ3  
SE\  
PIN NAME  
(MT)  
A0 - A8  
CAS\  
JDM  
HMM  
SVM  
HJM  
---  
DESCRIPTION  
Address Inputs  
Column Enable  
DQ1 - DQ4 DRAM Data In-Out/Write-Mask Bit  
SE\  
RAS\  
SC  
Serial Enable  
Row Enable  
Serial Data Clock  
RAS\  
SC  
Ceramic Flat Pack  
SDQ0 - SDQ3 SDQ1 - SDQ4 Serial Data In-Out  
TRG\  
W\  
DSF  
QSF  
Vcc  
TR\ /OE\  
ME\ /WE\  
DSF  
QSF  
Vcc  
Transfer Register/Q Output Enable  
Write-Mask Select/Write Enable  
Special Function Select  
Split-Register Activity Status  
5V Supply  
For more products and information  
please visit our web site at  
www.micross.com  
Vss  
Vss  
Ground  
Ground (Important: Not Connected to  
internal Vss, Pin should be left open or  
tied to ground.  
GND  
NC  
Micross Components reserves the right to change products or specifications without notice.  
SMJ44C251B/MT42C4256  
Rev. 0.6 06/10  
1
1234567...58

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与SMJ44C251B12HMM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMJ44C251B-12HMM AUSTIN

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 		256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
SMJ44C251B-12HMM883C MICROSS

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 		Video DRAM, 256KX4, 120ns, CMOS, CDSO28, CERAMIC, LCC-28
SMJ44C251B-12JD MICROSS

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 		Memory IC,
SMJ44C251B-12JDL TI

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 		256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
SMJ44C251B12JDM AUSTIN

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 		256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
SMJ44C251B-12JDM AUSTIN

获取价格

 		256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
SMJ44C251B-12SV MICROSS

获取价格

 		Memory IC
SMJ44C251B12SVM AUSTIN

获取价格

 		256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
SMJ44C251B12SVM MICROSS

获取价格

 		Video DRAM, 256KX4, 120ns, CMOS, CZIP28, CERAMIC, ZIP-28
SMJ44C251B-12SVM AUSTIN

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 		256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM

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