Datasheet > SMJ44C256-10JDM

SMJ44C256-10JDM

更新时间： 2023-01-02 14:57:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	1267K
描述
256KX4 FAST PAGE DRAM, 100ns, CDIP20, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMJ44C256-10JDM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP20,.3
针数：	20	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.5	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T20
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	256KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP20,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
筛选级别：	MIL-PRF-38535	座面最大高度：	4.45 mm
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ44C256-10SVM	TI	获取价格	256KX4 FAST PAGE DRAM, 100ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
SMJ44C256-12FQ	TI	获取价格	SMJ44C256-12FQ
SMJ44C256-12FQM	TI	获取价格	256KX4 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDSO20, CERAMIC, LCC-26
SMJ44C256-12HJ	TI	获取价格	SMJ44C256-12HJ
SMJ44C256-12HLM	TI	获取价格	256KX4 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDSO20, CERAMIC, LCC-26/20
SMJ44C256-12HMM	TI	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC
SMJ44C256-12JD	TI	获取价格	SMJ44C256-12JD
SMJ44C256-15FQL	TI	获取价格	256KX4 FAST PAGE DRAM, 150ns, CDSO20
SMJ44C256-15FQMT	TI	获取价格	256KX4 FAST PAGE DRAM, 150ns, CDSO20, CERAMIC, LCC-20
SMJ44C256-15HMM	TI	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,256KX4,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC