SMBT2907

更新时间： 2024-09-20 22:50:15

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描述
PNP Silicon Switching Transistors

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SMBT2907 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	110 ns	最大开启时间（吨）：	50 ns
Base Number Matches：	1

SMBT2907 数据手册

PNP Silicon Switching Transistors

SMBT 2907

SMBT 2907 A

● High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: SMBT 2222,

SMBT 2222 A (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

SMBT 2907

SMBT 2907 A

s2B

s2F

Q68000-A6501

Q68000-A6474

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

SMBT 2907

SMBT 2907 A

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

VCE0

VCB0

VEB0

Collector current

600

330

150

˚C

Total power dissipation, T^S= 77 ˚C

Junction temperature

tot

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 290

≤ 220

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4 5 6

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