Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> SMBJP6KE180A-TP-HF

SMBJP6KE180A-TP-HF

更新时间： 2024-11-06 13:13:39

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	408K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 154V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMBJP6KE180A-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED	最大击穿电压：	189 V
最小击穿电压：	171 V	击穿电压标称值：	180 V
最大钳位电压：	246 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	154 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

SMBJP6KE180A-TP-HF 数据手册

浏览型号SMBJP6KE180A-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号SMBJP6KE180A-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号SMBJP6KE180A-TP-HF的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号SMBJP6KE180A-TP-HF的Datasheet PDF文件第5页

SMBJP6KE6.8(C)A

THRU

SMBJP6KE550(C)A

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Transient

Voltage Suppressor

6.8 to 550 Volts

600 Watt

ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize board space

• Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

V_BRminimum

ꢀ Low inductance

ꢀ Excellent clamping capability

ꢀ UL Recognized File # E331408

DO-214AA

(SMBJ) (LEAD FRAME)

Mechanical Data

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

ꢀ Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026

ꢀ

Polarity: Color band denotespositive end (cathode)

except Bidirectional

ꢀ

Maximum soldering temperature: 260^oC for 10 seconds

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

Peak Pulse Power

Dissipation

Peak Forward Surge

Current

I_PP

See Table 1 Note: 2

P_PP

600W

100A

Note: 2,

I_FSM)

Note: 3

DIMENSIONS

-55^oC to

+150^oC

Operation And Storage T_J, T_STG

Temperature Range

INCHES

MIN

4.06

3.30

0.15

0.76

5.08

2.00

1.91

DIM

MAX

.185

.155

.012

.060

.220

.096

.087

.008

MAX

4.70

3.94

0.31

1..52

5.59

2.44

2.21

0.203

NOTE

.160

.130

.006

.030

.200

.079

.075

.002

NOTES:

1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.

0.05

2. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

T_A=25^oC per Fig.2.

3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute

maximum.

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.106"

0.082”

0.050”

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 5

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SMBJP6KE180A-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJP6KE180ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 154V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE180CA	MCC	获取价格	Transient Voltage Suppressor 6.8 to 550 Volts 600 Watt
SMBJP6KE180CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 154V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE180CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 154V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE180CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 154V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE180CAHE3	MCC	获取价格	Tape&Reel: 3Kpcs/Reel;
SMBJP6KE180CAHE3-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 154V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJP6KE180CAP	MCC	获取价格	DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppresso
SMBJP6KE180CAQ	MCC	获取价格	Tape :3K/Reel, 48K/Ctn;
SMBJP6KE180CA-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 154V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

与SMBJP6KE180A-TP-HF相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMBJP6KE180A-TP-HF

SMBJP6KE180A-TP-HF 技术参数

SMBJP6KE180A-TP-HF 数据手册

与SMBJP6KE180A-TP-HF相关器件

与SMBJP6KE180A-TP-HF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMBJP6KE180A-TP-HF

SMBJP6KE180A-TP-HF 技术参数

SMBJP6KE180A-TP-HF 数据手册

与SMBJP6KE180A-TP-HF相关器件

与SMBJP6KE180A-TP-HF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？