是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.11 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
最大击穿电压: | 8.6 V | 最小击穿电压: | 7.78 V |
击穿电压标称值: | 8.19 V | 最大钳位电压: | 12 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | DO-214AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 5 W | 最大重复峰值反向电压: | 7 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ7.0CATR | ETC |
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TVS DIODE 7V 12V SMB | |
SMBJ7.0CATRE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 7V V(RWM), Bidirectional, | |
SMBJ7.0CD-M3/H | VISHAY |
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TVS DIODE 7V 11.8V DO214AA | |
SMBJ7.0CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 | |
SMBJ7.0C-E3/5B | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 | |
SMBJ7.0CE3/TR13 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 | |
SMBJ7.0C-G | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 | |
SMBJ7.0C-GT3 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 | |
SMBJ7.0C-M3/52 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 | |
SMBJ7.0C-T3 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 |